BS.215551389-高功率LDO版图布局- 英彼森半导体（珠海）有限公司

2021年09月24日，国家知识产权局在集成电路布图设计专用权公告中公布了登记号为 BS.215551389的集成电路，该集成电路名称为高功率LDO版图布局，由英彼森半导体（珠海）有限公司作为布图设计权利人。

集成电路布图设计专用权公告具体内容如下：

布图设计登记号：

BS.215551389

布图设计申请日：

2021年05月10日

公告日期：

2021年09月24日

公开（公告）号：

47317

布图设计名称：

高功率LDO版图布局

布图设计结构：

Bipolar-MOS

布图设计技术：

CMOS

布图设计功能：

线性

布图设计权利人：

英彼森半导体（珠海）有限公司

布图设计权利人国籍：

中国

布图设计创作人：

胡锦通

布图设计创作完成日：

2020年12月10日

代理人：

崔自京

代理机构：

北京慕达星云知识产权代理事务所（特殊普通合伙）

商业用途开始日期：

-

布图设计权利人地址：

广东省珠海市横琴新区环岛东路1889号创意谷18栋110室-388（集中办公区）

英彼森半导体（珠海）有限公司的其他集成电路

同日公布集成电路设计

拖动滑块完成拼图

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